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冷場發射掃描電子顯微鏡

檢測服務中心麵向集成電路、電子元器件、半導體、PCBA、LED、汽車電子、新材料等,為客戶提供包括無損分析、失效分析、物理性能測試、微納分析、可靠性與壽命評估、工藝製程等在內的技術解決方案。

型號:S4800

廠家:日本Hitachi

主要用途

該設備主要用於各種樣品的高分辨表麵形貌成像觀察,點分辨率可達1 nm。同時該設備由於發射束流低並配備了減速裝置,因此可以較大程度上減少樣品在電子束轟擊下的充電效應,適合於一些不導電樣品和在電子束輻照下異損壞樣品(有機、高分子、生物樣品等)的表麵高分辨成像。
主要配置 電子束減速裝置
性能指標 1、二次電子圖像分辨率

≤1.0nm保證(加速電壓15kV WD = 4mm)

≤2.0nm 保證(加速電壓1kV WD = 1.5mm,普通模式)

≤1.4nm 保證(照射電壓1kV,WD = 1.5mm,使用減速裝置)

放大倍率:20~800,000×

2、樣品台

S-4800型

X       0-50 mm

Y       0-50 mm

Z       1.5-30 mm

T       -5°~ + 70°

R      360°

最大樣品尺寸(直徑)       100mm

樣品台控製        五軸馬達驅動

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